[发明专利]一种磁电阻式集成应力传感器及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110192651.5 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN113008419A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 孟皓;迟克群;金立川;唐晓莉 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 许志辉 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及通信领域，公开了种磁电阻式集成应力传感器及其制备方法和应用，包括：基底；永磁薄膜层，永磁薄膜层在基底一侧；压磁薄膜层，压磁薄膜层在相对于永磁薄膜层另一侧的基底上，用于受外应力输出电压；以及金属电极，所述金属电极在压磁薄膜层上。本发明可实现通过压磁薄膜层上电桥磁导率发生变化，使材料本身的磁矩发生改变，材料磁矩的改变会导致材料的磁电阻发生变化，从而实现了对压力方向、大小的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁电 集成 应力 传感器 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江驰拓科技有限公司，未经浙江驰拓科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110192651.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
