[发明专利]一种磁电阻式集成应力传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，包括：

基底；

永磁薄膜层，所述永磁薄膜层在基底一侧；

压磁薄膜层，所述压磁薄膜层在相对于永磁薄膜层另一侧的基底上，用于受外应力输出电压；以及

金属电极，所述金属电极在压磁薄膜层上。

2.根据权利要求1所述的一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，所述压磁薄膜层包括电桥，所述电桥和金属电极连接。

3.根据权利要求1所述的一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，所述基底采用的材料包括但不限于单晶硅片、砷化镓基片、玻璃、陶瓷和柔性高分子材料中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，所述永磁薄膜层采用的材料包括但不限于AlNiCo、SmCo、NbFeB和永磁铁氧体中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，所述压磁薄膜层采用的材料包括但不限于TbFeCo、CoPt、GdFe、FeRe和SmFe₂中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的一种磁电阻式集成应力传感器，其特征在于，所述压磁薄膜层材料的厚度为0.01～2μm。

7.一种磁电阻式集成应力传感器的制备方法，其特征在于，包括：

将永磁薄膜层固定在洁净的基底上；

在洁净的基底相对于固定永磁薄膜材料的另一侧上固定有压磁薄膜层；

在压磁薄膜层上光刻电桥以及生长金属电极；

在电桥两端使用负性光刻胶光刻电极图形，电极图形形成后剥离负性光刻胶与金属电极连接。

8.根据权利要求6所述的一种磁电阻式集成应力传感器的制备方法，其特征在于，所述永磁薄膜层采用包括但不限于电镀、溅射或粘贴中的一种或多种固定在基底上。

9.根据权利要求6所述的一种磁电阻式集成应力传感器的制备方法，其特征在于，所述压磁薄膜层采用包括但不限于磁控溅射、蒸发、化学电镀、激光脉冲沉积或分子束外延法中的一种或多种固定在基底上。

10.一种磁电阻式集成应力传感器的应用，其特征在于，基于权利要求1～6所述的磁电阻式集成应力传感器应用于医疗健康监测、餐馆入座率监测、汽车电子、可穿戴电子设备、智能家居以及工业机器人中。