[发明专利]磁存储装置以及磁存储装置的制造方法在审
| 申请号： | 202110186235.4 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN113394340A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 落合隆夫;富冈和广 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张轶楠;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够以高纵横比配置磁阻效应元件的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备第1导电体，其沿着第1方向延伸；第2导电体，其在第1导电体的上方沿着第2方向延伸；以及第1层叠体，其设置在第1导电体与第2导电体之间，包括第1磁阻效应元件。第1层叠体沿着第1层叠体的层叠面具有矩形形状，第1层叠体的矩形形状的边与第1方向和第2方向都交叉。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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