[发明专利]磁存储装置以及磁存储装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 202110186235.4 申请日: 2021-02-09
公开(公告)号: CN113394340A 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 落合隆夫;富冈和广 申请(专利权)人: 铠侠股份有限公司
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22;G11C11/16
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 张轶楠;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储 装置 以及 制造 方法
【说明书】:

实施方式提供能够以高纵横比配置磁阻效应元件的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。实施方式的磁存储装置具备第1导电体,其沿着第1方向延伸;第2导电体,其在第1导电体的上方沿着第2方向延伸;以及第1层叠体,其设置在第1导电体与第2导电体之间,包括第1磁阻效应元件。第1层叠体沿着第1层叠体的层叠面具有矩形形状,第1层叠体的矩形形状的边与第1方向和第2方向都交叉。

本申请享受以日本特许申请2020-042014号(申请日:2020年3月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。

背景技术

已知使用了磁阻效应元件作为存储元件的磁存储装置(MRAM:MagnetoresistiveRandom Access Memory(磁阻式随机存取存储器))。

发明内容

本发明要解决的课题在于,提供能够以高纵横(aspect)比配置磁阻效应元件的磁存储装置以及磁存储装置的制造方法。

实施方式的磁存储装置具备:第1导电体,其沿着第1方向延伸;第2导电体,其在上述第1导电体的上方沿着第2方向延伸;以及第1层叠体,其设置在上述第1导电体与上述第2导电体之间,包括第1磁阻效应元件。上述第1层叠体沿着上述第1层叠体的层叠面具有矩形形状,上述第1层叠体的上述矩形形状的边与上述第1方向和上述第2方向都交叉。

附图说明

图1是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的结构的框图。

图2是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的电路图。

图3是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的俯视图。

图4是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的剖视图。

图5是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的剖视图。

图6是用于说明实施方式涉及的磁存储装置的磁阻效应元件的结构的剖视图。

图7是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图8是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图9是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图10是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的俯视图。

图11是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图12是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的示意图。

图13是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图14是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图15是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的俯视图。

图16是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图17是用于说明实施方式涉及的磁存储装置中的存储单元阵列的制造方法的剖视图。

图18是用于说明变形例涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的剖视图。

图19是用于说明变形例涉及的磁存储装置的存储单元阵列的结构的剖视图。

标号说明

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