[发明专利]半导体装置结构和其形成方法在审
| 申请号： | 202110184824.9 | 申请日： | 2021-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN113327905A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 陈信吉;黄薰瑩;李智铭;吴尚彦;杨智安;何弘伟;张朝钦;黄琮伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置结构和其形成方法，其结构包括有一或多个装置形成于其上的基板、设置在基板上的一或多个接合垫，及设置在一或多个接合垫上的第一钝化层。第一钝化层包括具有第一介电材料的第一钝化子层、设置在第一钝化子层上的第二钝化子层，并且第二钝化子层具有不同于第一介电材料的第二介电材料。第一钝化层进一步包括设置在第二钝化子层上的第三钝化子层，并且第三钝化子层具有不同于第二介电材料的第三介电材料。第一、第二及第三钝化子层中的至少两者各自包括氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110184824.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
