[发明专利]半导体装置结构和其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一基板，包括在该基板上形成的一或多个装置；

一或多个接合垫，设置在该基板上；及

一第一钝化层，设置在该一或多个接合垫上，其中该第一钝化层包括：

一第一钝化子层，包括一第一介电材料；

一第二钝化子层，设置在该第一钝化子层上，该第二钝化子层包括不同于该第一介电材料的一第二介电材料；及

一第三钝化子层，设置在该第二钝化子层上，该第三钝化子层包括不同于该第二介电材料的一第三介电材料，其中该第一钝化子层、该第二钝化子层及该第三钝化子层中的至少两者各自包括一氮化物。

2.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该氮化物包括氮化硅、氮化铝、氮化钛或氮化钽。

3.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，该第一钝化层进一步包括：

一第四钝化子层，包括一第四介电材料；及

一第五钝化子层，设置在该第四钝化子层上，该第五钝化子层包括不同于该第四介电材料的一第五介电材料，其中该第一钝化子层设置在该第五钝化子层上。

4.如权利要求3所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括设置在该基板上的一第二钝化层，其中该第二钝化层包括：

一第六钝化子层；及

一第七钝化子层，设置在该第六钝化子层上，其中该第一钝化层设置在该第七钝化子层上。

5.如权利要求3所述的半导体装置结构，其特征在于，该第二钝化子层、该第四钝化子层及该第五钝化子层各自包括一氧化物，并且该第一钝化子层及该第三钝化子层各自包括该氮化物。

6.如权利要求1所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括设置在该基板上的一互连结构，并且该一或多个接合垫设置在该互连结构上，其中该互连结构包括：

一第一层级导电特征，包括一第一导线、与该第一导线相邻的一第二导线及与该第二导线相邻的一第三导线；及

设置在该第一层级导线上的一第二层级导线，其中该第二层级导线包括一第四导线、与该第四导线相邻的一第五导线及与该第五导线相邻的一第六导线，其中该一或多个接合垫中的一接合垫设置在该第二层级导线的该第四导线上并与该第四导线对齐。

7.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：

一基板，包括在该基板上形成的一或多个装置；

一互连结构，设置在该基板上；

一或多个接合垫，设置在该互连结构上；及

一第一钝化层，设置在该一或多个接合垫上，其中该第一钝化层包括：

一第一钝化子层，包括一第一介电材料；

一第二钝化子层，设置在该第一钝化子层上，该第二钝化子层包括不同于该第一介电材料的一第二介电材料；及

一第三钝化子层，设置在该第二钝化子层上，该第三钝化子层包括不同于该第二介电材料的一第三介电材料，其中该第一钝化子层、该第二钝化子层及该第三钝化子层中的至少一者是一氮化物层，其厚度至少为该第一钝化层的一总厚度的40％。

8.如权利要求7所述的半导体装置结构，其特征在于，进一步包括一第二钝化层，其中该第一钝化层设置在该第二钝化层上。

9.如权利要求8所述的半导体装置结构，其特征在于，该第二钝化层包括：

一第四钝化子层，设置在该互连结构上；及

一第五钝化子层，设置在该第四钝化子层上。

10.一种形成半导体装置结构的方法，其特征在于，包括：

在一基板上形成一或多个装置；

在一或多个装置上形成一第一介电层；

在该第一介电层中形成一开口；

在该开口中形成一第一导电特征；

在该第一导电特征上方形成一接合垫；及

在该接合垫及该第一介电层上形成一第二介电层，其中形成该第二介电层包括：

在该接合垫及该第一介电层上方形成一第一子层，其中该第一子层包括一第一材料；

在该第一子层上形成一第二子层，其中该第二子层包括不同于该第一材料的一第二材料；及

在该第二子层上形成一第三子层，其中该第三子层包括不同于该第二材料的一第三材料，并且该第一子层、该第二子层及该第三子层中的至少两者各自包括一氮化物。