[发明专利]光刻系统及其曝光补偿方法在审
申请号: | 202110184385.1 | 申请日: | 2021-02-08 |
公开(公告)号: | CN112965344A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 上海度宁科技有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海大邦律师事务所 31252 | 代理人: | 陈丹枫 |
地址: | 200000 上海市浦东新区自*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及光刻系统及其曝光补偿方法,其中所述光刻系统包括光源、照明机构、工件台机构、掩模台机构、投影物镜、调焦调平机构及对准机构等。工件台机构具有第一运动机构及与第一运动机构连接的第二运动机构,承载平台设置于第二运动机构,第二运动机构可相对于第一运动机构作运动,以用于实现第二运动机构相对于第一运动机构位置可调;本发明将掩模台机构与具有粗动功能的第一运动机构连接在一起,同时将第二运动机构也与第一运动机构连接,使光刻系统在扫描曝光时第二运动机构可以根据第一运动机构的位置信息、掩模版的图形位置信息及硅片实际对准标记位置信息对硅片曝光区域的套刻偏差进行实时补偿,以提高光刻系统的套刻精度。 | ||
搜索关键词: | 光刻 系统 及其 曝光 补偿 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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