[发明专利]一种具有保护层LED芯片的制作方法有效
| 申请号： | 202110178379.5 | 申请日： | 2021-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN112993099B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 万志;卓祥景;史成丹;林海;程伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李晓光 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有保护层LED芯片的制作方法，在每一层量子阱层生长完成后增加了空烤处理，目的是在高In材料生长结束后，通过空烤的方式来适当减少In过饱和状态下带来的In析出、界面粗糙以及高缺陷密度等问题，生长的GaN保护层可以对量子阱层起到保护作用，减少In析出，变温生长方式还可以提高AlGaN保护层的晶体质量，从而获得较高的电子有效势垒高度，减少了电子泄露。进一步的，相比较现有技术中单层的AlGaN保护层，采用GaN保护层以及AlGaN保护层的复合保护层，可以减少与量子阱层中InGaN材料的晶格失配，进而削弱了极化电场带来的不利影响，提高LED芯片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 保护层 led 芯片 制作方法 | ||
【主权项】：
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