[发明专利]一种具有保护层LED芯片的制作方法

权利要求书

1.一种具有保护层LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在第一生长温度下，在所述衬底的一侧生长量子垒层；

在第二生长温度下，在所述量子垒层背离所述衬底的一侧生长量子阱层；

在第三生长温度下，对所述量子阱层进行空烤处理，再在所述量子阱层背离所述衬底的一侧生长GaN保护层；所述空烤处理用于减少高In材料生长结束后在In过饱和状态下的In析出；

在第四生长温度下，在所述GaN保护层背离所述衬底的一侧生长AlGaN保护层；

在相对应的生长温度下，重复生长所述量子垒层、所述量子阱层、所述GaN保护层以及所述AlGaN保护层预设周期；

在所述第一生长温度下，生长最后一层量子垒层；

其中，所述第一生长温度、所述第二生长温度、所述第三生长温度以及所述第四生长温度互不相同，所述第三生长温度高于所述第二生长温度。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一方向上，多层所述AlGaN保护层中的Al组分固定不变；

所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述量子垒层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一方向上，多层所述AlGaN保护层中的Al组分渐变增加；

所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述量子垒层。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一方向上，多层所述AlGaN保护层中的Al组分渐变减少；

所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述量子垒层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述在第一生长温度下，在所述衬底的一侧生长量子垒层，这一步骤之前，

所述制作方法还包括：

在所述衬底的一侧依次生长未掺杂AlN低温成核层、未掺杂GaN层以及N型电流扩展层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述N型电流扩展层包括多个周期的叠层设置的AlGaN层和GaN层。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述AlGaN层为未掺杂的AlGaN层；

所述GaN层的掺杂元素为Si元素。

8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述第一生长温度下，生长最后一层量子垒层，这一步骤之后，

所述制作方法还包括：

在所述最后一层量子垒层背离所述衬底的一侧依次生长P型AlGaN超晶格电子阻挡层以及P型GaN层；

进行蚀刻处理，以暴露出部分所述N型电流扩展层；

在所述N型电流扩展层上生长第一电极，在所述P型GaN层上生长第二电极。

9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述GaN保护层的厚度小于所述AlGaN保护层的厚度。

10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述最后一层量子垒层的厚度为10nm-30nm，且为未掺杂膜层。