[发明专利]一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110170392.6 | 申请日： | 2021-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN112992859A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 胡昆兵 | 申请（专利权）人： | 深圳瑞君新材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京沁优知识产权代理有限公司 11684 | 代理人： | 另婧 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道大冲社*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，包括基底，基底上设有设有低介电常数介电层；低介电常数介电层为内部设有孔洞的介电层一和介电层二的复合层，介电层一与介电层二的结合面设有沟槽，沟槽内沉积有金属层和遮挡层，沟槽相连形成交叉网络，通过两种低介电材料的复合制造，能够有效降低介电常数，且增强了薄膜的机械性能和力学性能，提高了薄膜的耐热性，且能够减少刻蚀过程对于薄膜的影响，也能够有效防止介电常数材料的迁移，且能够解决由于紫外照射导致材料收缩使金属连线高于低介电常数材料的情况，从而能够减少抛光对于薄膜的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 通信 具有 介电常数 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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