[发明专利]一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法

权利要求书

1.一种应用于5G通信具有低介电常数的材料，其特征在于：包括基底，所述基底上设有设有低介电常数介电层；

所述低介电常数介电层为内部设有孔洞的介电层一和介电层二的复合层，所述介电层一与介电层二的结合面设有沟槽，所述沟槽内沉积有金属层和遮挡层，所述沟槽相连形成交叉网络。

2.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：所述介电层二为加氟的硅酸盐玻璃层。

3.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：所述介电层一为改性二氧化硅层。

4.制备权利要求1-3任一所述的应用于5G通信具有低介电常数的材料的方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤一：将基底上制备介电层一，得到基体；

步骤二：将步骤一中的基体上涂覆光刻胶，使光刻胶形成一定沟槽排布的图案，并以光刻胶为掩膜，在半成品上进行沟槽的刻蚀，干法去除光刻胶，得到半成品；

步骤三：将导电金属沉积于步骤二中的半成品的沟槽内，使沟槽内形成金属交叉网络，在金属交叉网络内涂覆遮挡层，烘干干燥，抛光，得到介电层一；

步骤四：将步骤三中的介电层一外复合介电层二，得到低介电常数介电层，将所述低介电常数介电层进行紫外光线处理，得到成品。

5.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：步骤四中，所述介电层二采用旋涂法形成，旋涂厚度200-500埃。

6.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：步骤一中，所述导电金属采用化学气相沉积法进行沉积。

7.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：步骤三中，所述遮挡层的材质为碳化硅或二氧化硅。

8.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：所述介电层一的制备步骤包括：

S1：将无机硅酸盐溶于水中搅拌均匀，加入硅烷偶联剂，搅拌，得到改性硅胶溶液；

S2：向改性硅胶溶液内加入干冰粉末，快速搅拌，后进行冷冻干燥，得到介电层一。

9.根据权利要求8所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：S2中，所述冷冻干燥的温度为-40℃，干燥12-48h。

10.根据权利要求1所述的一种应用于5G通信具有低介电常数的材料及其制备方法，其特征在于：步骤四中，所述紫外线处理的温度为300-450℃，气压为2-10mTorr。