[发明专利]一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法有效
| 申请号： | 202110170304.2 | 申请日： | 2021-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN112909078B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 郭晓丽;王启进;马爱玲;高燕红;宋传利 | 申请（专利权）人： | 临沂卓芯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 山东明宇知信知识产权代理事务所(普通合伙) 37329 | 代理人： | 钟文强 |
| 地址： | 276700 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法，包括：1)、预清洗；2)、烘干；3)、光刻；4)、第一次刻槽：第一次腐蚀液按体积比配酸：H2SO4:HNO3:CH3COOH:HF＝9:9:12:4,把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到120±5微米；5)、第二次刻槽：第二次腐蚀液按体积比配酸：HNO3:CH3COOH:HF＝5:3:3，把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到145±5微米；6)、冲水去胶；7)、去损伤清洗：把高阻硅单晶片在体积比为HNO3:HF＝10:1的去损伤腐蚀液中浸泡，而后冲冷却离子水，在体积比为H2O:H2O2:NH4OH＝5:1:1的洗液中浸泡，再冲冷却离子水；8)、烘干。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 恢复 二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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