[发明专利]一种高压超快恢复二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.高压超快恢复二极管芯片的制造方法，制造的芯片包括高阻硅单晶片，所述高阻硅单晶片由上至下依次叠置正面电极层、高浓度扩散层、PN结、硅衬底层和背面电极层，所述PN结的外周形成钝化层，由所述高浓度扩散层至所述硅衬底层腐蚀形成沟槽，所述沟槽穿透所述高浓度扩散层、PN结，以及所述硅衬底层的上部分；

正面电极层与所述背面电极层的厚度相等，所述正面电极层与所述背面电极层的成分一致；

高浓度扩散层与所述硅衬底层的掺杂浓度不同，且掺杂浓度相差两个数量级以上，所述高浓度扩散层与所述硅衬底层之间结合形成PN结；

其特征在于，包括以下步骤：

1)、预清洗：将高阻硅单晶片进行清洗处理；

2)、烘干：将清洗好的高阻硅单晶片放入烘干设备内进行烘干；

3)、光刻：将处理干净的高阻硅单晶片依次进行涂胶、前烘、曝光、显影及坚膜工序，刻出台面图形；

4)、第一次刻槽：第一次腐蚀液按体积比配酸：H2SO4:HNO3:CH3COOH:HF＝9:9:12:4,把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到120±5微米；

5)、第二次刻槽：第二次腐蚀液按体积比配酸：HNO3:CH3COOH:HF＝5:3:3，把高阻硅单晶片上的沟槽腐蚀到145±5微米；

6)、冲水去胶：将刻槽完成的高阻硅单晶片进行清洗去胶处理；

7)、去损伤清洗：把去胶后的高阻硅单晶片在体积比为HNO3:HF＝10:1的去损伤腐蚀液中浸泡，而后冲冷却离子水，然后在体积比为H2O:H2O2:NH4OH＝5:1:1的洗液中浸泡，再冲冷却离子水；

8)、烘干：将制造完成的高阻硅单晶片放入烘干设备内进行烘干。

2.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤1)中，通过酸、碱、去离子水超声清洗工序，对高阻硅单晶片表面进行化学清洗处理。

3.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤4)中，第一次腐蚀液温度为3±3℃，腐蚀时间为20分钟±30秒。

4.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤5)中，第二次腐蚀液温度为-5±3℃，腐蚀时间为3分钟±30秒。

5.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤7)中，高阻硅单晶片在去损伤腐蚀液中浸泡的腐蚀时间为10±2秒。

6.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤7)中，高阻硅单晶片每次冲冷却离子水的时间为10±1分钟。

7.如权利要求1所述的高压超快恢复二极管芯片的制造方法，其特征在于，在步骤7)中，高阻硅单晶片在洗液中浸泡的时间为2±1分钟。