[发明专利]一种孔面离子通道衬度试样的制备方法有效
| 申请号： | 202110162499.6 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112730006B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 周莹;陈鹰;郝玉红;吴立敏;陈永康;郝萍;历艳君;徐建 | 申请（专利权）人： | 上海市计量测试技术研究院 |
| 主分类号： | G01N1/32 | 分类号： | G01N1/32;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 上海世圆知识产权代理有限公司 31320 | 代理人： | 顾俊超 |
| 地址： | 200040 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微纳米级尺寸范围的孔面离子通道衬度试样的制备方法，对孔面离子通道衬度试样（3）的抛光面（8）至少进行一次聚焦离子束（5）预抛光，至少进行一次交叉式聚焦离子束（5）粗抛光，至少进行一次交叉式聚焦离子束（5）精抛光，直至去除孔面离子通道衬度试样（3）的抛光面（8）上的划痕和非晶层沉积。本发明不仅可以针对孔面离子通道衬度试样指定区域定点制样，且制得的孔面离子通道衬度试样具有无应力残留、无磨料污染、无平行划痕、无非晶层沉积等特点。本发明在进行离子通道衬度（ICC）测试时，图像清晰度较高，能够清楚准确地观测晶粒结构、尺寸、分布、缺陷等信息。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 通道 试样 制备 方法 | ||
【主权项】：
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