[发明专利]基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法有效
| 申请号： | 202110161018.X | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112992678B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王元刚;敦少博;吕元杰;付兴昌;梁士雄;宋旭波;郭红雨;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 柳萌 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于金刚石衬底的GaN场效应晶体管的制备方法，属于半导体制造技术领域，包括：SiC衬底正面制备GaN异质结层；减薄SiC衬底；刻蚀SiC衬底；生长金刚石层；去除牺牲层及其上的金刚石层；GaN异质结层的正面制备源极、漏极和栅极；刻蚀SiC衬底和GaN异质结层，形成与源极连通的源通孔；去除通孔掩膜层，制备背面接地金属，完成金刚石衬底GaN晶体管器件的制备。本发明提供的制备方法，借助SiC刻蚀通孔，取代难度较大的金刚石激光通孔，实现金刚石上GaN异质结器件背面通孔接地，为金刚石衬底GaN晶体管器件的制备提供了方便；同时，由于只是在背面部分小区域去除了SiC衬底，避免了材料大的形变，为后序正面工艺提供了方便。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金刚石 衬底 gan 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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