[发明专利]一种双面焊接的功率模块及焊接工艺在审
| 申请号： | 202110160286.X | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112736040A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 凌秋惠 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/495;H01L23/36;H01L21/58 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 陈琦;陈继亮 |
| 地址： | 201800*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双面焊接的功率模块及焊接工艺，所述功率模块主要包括相对设置的第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板，所述第一覆铜陶瓷基板上通过焊料焊接有电阻及可双面焊接的半导体芯片，第一覆铜陶瓷基板的预焊位置上通过焊料焊接有引线框架，所述半导体芯片间、半导体芯片与电阻间及半导体芯片与第一覆铜陶瓷基板间均通过键合线连接；所述第二覆铜陶瓷基板上通过焊料焊接有与第一覆铜陶瓷基板上的半导体芯片位置和数量对应的第一垫高块，且所述第一垫高块的周围开设有全通定位孔以防止其在焊接过程中发生移位；所述半导体芯片背离第一覆铜陶瓷基板的一侧通过焊料与第二覆铜陶瓷基板对应位置上的第一垫高块进行焊接固定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双面 焊接 功率 模块 工艺 | ||
【主权项】：
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