[发明专利]一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法在审
| 申请号： | 202110157848.5 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909127A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张小明;盛健;林纲正;洪垒;杨新强;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 侯莉 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，包括：选取P型单晶硅片；在硅片背面通过选择性沉积先后制备图形化的隧穿钝化层和n型多晶硅掺杂层，形成具有叉指状排布的n型多晶硅掺杂层和P型基体硅层的电池片，该P型基体硅层即为硅片背面未被隧穿钝化层和P型多晶硅掺杂层覆盖的区域；在背面上先后沉积第一钝化膜层和第一减反膜层；在正面上制作绒面；在绒面上先后沉积第二钝化膜层和第二减反膜层；在背面上对应于P型基体硅层的位置制备正电极，在对应于n型多晶硅掺杂层的位置上制备负电极。本发明简化了钝化接触IBC电池生产工艺步骤，通过本发明制作的太阳能电池，其转换效率大幅度提升，有望取代PERC电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型单晶 钝化 接触 ibc 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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