[发明专利]一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

S1、选取P型单晶硅片；

S2、在P型单晶硅片的背面通过选择性沉积先后制备图形化的隧穿钝化层和n型多晶硅掺杂层，形成具有叉指状排布的n型多晶硅掺杂层和P型基体硅层的电池片，所述P型基体硅层即为P型单晶硅片背面未被隧穿钝化层和多晶硅掺杂层覆盖的区域；

S3、在由步骤S2所得电池片的背面上先后沉积第一钝化膜层和第一减反膜层；

S4、在由步骤S3所得电池片的正面上制作绒面；

S5、在由步骤S4所得电池片的绒面上先后沉积第二钝化膜层和第二减反膜层；

S6、在由步骤S5所得电池片的背面上对应于P型基体硅层的位置制备正电极，在对应于n型多晶硅掺杂层的位置上制备负电极。

2.根据权利要求1所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一钝化膜层包括二氧化硅、氮氧化硅、Nb205、Ta205、V205、Y203中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：第一减反膜层包括SiNx、蒸镀铝层、二氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述正电极是银铝电极，所述负电极是银电极。

5.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述正电极是铝电极，所述负电极是银电极，在完成S5后，先在由步骤S5所得电池片的背面上对应于P型基体硅层的位置制备开槽，该开槽贯穿第一钝化膜层和第一减反膜层而使P型基体硅层显露于开槽中，再在开槽中的P型基体硅层上制备正电极，在n型多晶硅掺杂层上制备负电极。

6.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述选择性沉积是使用图形化掩膜覆盖P型单晶硅片再沉积隧穿钝化层和n型多晶硅掺杂层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述图形化掩膜为硬掩膜，材质为石英板或石墨材料。

8.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：在步骤S6中，使用丝网印刷正、负电极浆料，并经高温烧结形成正、负电极，再通过光注入再生即得太阳能电池，且在步骤S2中，在P型基体硅层上制作丝网印刷正、负电极浆料对位用的mark点，所述mark点位于所述P型基体硅层区域，形状为圆形、正方形或十字形，所述圆形mark点直径30-150um，所述正方形mark点边长为30-150um，所述十字矩形mark点长度为100-300um，宽度为20-40um。

9.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述隧穿钝化层是SiOx层，厚度为0.5～2nm，所述多晶硅掺杂层的厚度是30～250nm，掺杂浓度为1E20atoms/cm3～10E20atoms/cm3。

10.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一钝化膜层包括AlOx层、二氧化硅、氮氧化硅、Nb2O5、Ta2O5、V2O5、Y2O3中的一种或多种，厚度为2～15nm，所述第一减反膜层包括SiNx、蒸镀铝层、二氧化硅中的一种或多种。

11.根据权利要求1或2或3所述的P型单晶钝化接触IBC太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述第一钝化膜层为SiO2或氮氧化硅层，第一减反膜层为蒸镀铝层或SiNx层。