[发明专利]一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110154048.8 申请日: 2021-02-04
公开(公告)号: CN112993156A 公开(公告)日: 2021-06-18
发明(设计)人: 唐灵芝;王晨;黄阳;边继明;杨一鸣 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 李晓亮;潘迅
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法,属于半导体和微电子领域,从下到上底电极、介质层、顶电极、保护层,底电极为透明柔性ITO/PEN,介质层材料为CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz,顶电极为Ag,保护层为Au。步骤:首先,在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1‑x‑yPbI3‑zBrz溶液,并涂抹均匀,开启匀胶机进行旋涂,在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶;其次,100~120℃下退火处理30~50分钟后在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜;最后,通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极及保护层。本发明不需要高温工艺,采用低温溶液旋涂工艺在氮气环境中进行,对设备要求简单,成本低,可用于柔性阻变阵列集成;器件开关次数高达1010次,弯曲次数高达104次,具备稳定的阈值开关选通特性和优异的抗物理弯折能力。
搜索关键词: 一种 开关 次数 柔性 选通器 及其 制备 方法
【主权项】:
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