[发明专利]一种高开关次数的柔性选通器及其制备方法在审
| 申请号: | 202110154048.8 | 申请日: | 2021-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN112993156A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 唐灵芝;王晨;黄阳;边继明;杨一鸣 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
| 主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
| 代理公司: | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人: | 李晓亮;潘迅 |
| 地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 开关 次数 柔性 选通器 及其 制备 方法 | ||
1.一种高切换次数的柔性选通器,其特征在于,从下到上依次是底电极、介质层、顶电极、保护层;所述的底电极为透明柔性的ITO/PEN,即掺铟的SnO2薄膜/聚萘二甲酸乙二醇酯;所述的介质层材料为CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz,介质层材料CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz通过低温溶液旋涂法制得;所述的顶电极为Ag,所述保护层为Au。
2.根据权利要求1所述的柔性选通器,其特征在于,所述的ITO厚度为300~400nm。
3.根据权利要求1所述的柔性选通器,其特征在于,所述的介质层厚度为200~300nm;所述的顶电极厚度为80~150nm,其形状为圆形,直径为100~1000μm;所述的保护层厚度为5~20nm,其形状为圆形,直径为100~1000μm。
4.根据权利要求3所述的柔性选通器,其特征在于,所述的介质层厚度优选为230nm;所述的顶电极厚度优选为100nm,直径优选为300nm;所述的保护层厚度优选为10nm,直径优选为300μm。
5.一种权利要求1-4任一所述的柔性选通器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤1,紫外处理透明ITO/PEN柔性衬底;
步骤2,制备卤素钙钛矿CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz溶液:
(1)将甲脒氢碘酸盐FAI、甲氨溴MABr、碘化铅PbI2、溴化铅PbBr2溶解于二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO的混合溶液中,得到溶液A;其中,每1ml混合溶液中对应加入0.3~0.6mmol FAI、0.06~0.12mmol MABr、0.36~0.72mmol PbI2、0.02~0.04mmol PbBr2;
(2)将碘化铯CsI溶解于DMSO溶液中得到溶液B;其中,每1mL的DMSO溶液中对应加入0.9~1.8mmol CsI;
(3)将溶液A和溶液B分别在40~70℃条件下搅拌0.5~2h后,过滤去除溶液中的大颗粒,获得淡黄色的溶液A和无色透明的溶液B;
(4)室温下,将过滤后的溶液B加入过滤后的溶液A中,得到CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz溶液;其中,每1mL过滤后的溶液A中对应加入40~80ul的溶液B;
步骤3,制作介质层,整个流程在氮气环境下进行:
(1)在ITO/PEN柔性衬底的导电面上滴加CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz溶液;其中,每2.25cm2的导电面上滴加25~35μl的CsxFAyMA1-x-yPbI3-zBrz溶液;
(2)开启匀胶机进行旋涂;
(3)在旋涂结束前3~10S时滴加反溶剂氯苯,其中,每2.25cm2滴加120~150μl,使得钙钛矿快速结晶,然后在100~120℃条件下退火处理30~50分钟,在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜,即介质层;
步骤4,制备顶电极:
通过真空热蒸发法在步骤3中的钙钛矿薄膜上沉积圆形的顶电极,顶电极为银Ag,顶电极均匀分布在介质层表面;
步骤5,制备保护层
通过真空热蒸发法在步骤4中的顶电极上沉积圆形的保护层,保护层为金Au,制得卤素钙钛矿柔性选通器。
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