[发明专利]封装结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110147418.5 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113035846A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 张勇舜;李德章;谢孟伟;陈道隆 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种封装结构及其形成方法。该封装结构包括：再分布层；第一管芯和第二管芯，位于再分布层上方；底部填充物，位于第一管芯和第二管芯与再分布层之间以及第一管芯与第二管芯之间；以及应力缓冲层，嵌入在再分布层内并且位于底部填充物下方，应力缓冲层的热膨胀系数小于再分布层的热膨胀系数。止述技术方案至少能够避免封装结构中的裂纹产生。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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