[发明专利]封装结构及其形成方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

再分布层；

第一管芯和第二管芯，位于所述再分布层上方；

底部填充物，位于所述第一管芯和所述第二管芯与所述再分布层之间以及所述第一管芯与所述第二管芯之间；以及

应力缓冲层，嵌入在所述再分布层内并且位于所述底部填充物下方，所述应力缓冲层的热膨胀系数小于所述再分布层的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述再分布层为多层结构，所述应力缓冲层嵌入在所述多层结构的最上层内。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层接触所述底部填充物。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层位于所述最上层的迹线上方。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层连续延伸超出所述第一管芯和所述第二管芯的侧壁。

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的宽度大于所述第一管芯和所述第二管芯之间的间隙的宽度。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述应力缓冲层的热膨胀系数小于16ppm/℃。

8.一种形成封装结构的方法，其特征在于，包括：

提供载体；

在所述载体上方形成再分布层和应力缓冲层，其中，所述应力缓冲层嵌入在所述再分布层内；

在所述再分布层的所述应力缓冲层上方形成介电层；以及

形成位于所述介电层上方的第一管芯和第二管芯。

9.根据权利要求8所述的形成封装结构的方法，其特征在于，在形成所述再分布层和所述应力缓冲层的步骤中，同时形成所述再分布层和所述应力缓冲层。

10.根据权利要求8所述的形成封装结构的方法，其特征在于，形成所述再分布层和所述应力缓冲层的步骤包括：

形成包括多个层的所述再分布层；

在所述再分布层的所述多个层的最上层内形成所述应力缓冲层。