[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 202110134611.5 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113327974A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 刘佑铭;何学缅;司徒道海;刘金营;吴永玉;李敏;李天慧;李剑波 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 杨东明;秦晶晶 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管及其制造方法，场效应晶体管包括埋藏式栅极，埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。本发明的场效应晶体管采用了三维立体结构代替传统平面结构，实现了对沟道的三向包裹，增大了沟道宽度的面积，在不增加有源区面积的情况下增大了沟道控制面积，提高了栅控能力，稳定了阈值电压，增大了饱和电流。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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