[发明专利]场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其特征在于，所述场效应晶体管包括埋藏式栅极，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的水平方向上包括第一端部栅极、中心栅极以及第二端部栅极；其中：

所述第一端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；

所述第二端部栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积大于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述第一端部栅极和所述第二端部栅极对称分布于所述中心栅极的两端。

3.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极在垂直于沟道长度的竖直面上的截面为倒立的凹字形状。

4.如权利要求3所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极为倒立的马鞍形状。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述埋藏式栅极包括栅介质层和栅电极；

所述栅介质层为高K金属层且所述栅电极为金属栅，或，所述栅介质层为栅氧层且所述栅电极为多晶硅栅。

6.如权利要求2所述的场效应晶体管，其特征在于，

所述第一端部栅极远离所述中心栅极的一端在平行于沟道长度的竖直面上的截面积等于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积；

所述第二端部栅极远离所述中心栅极的一端在平行于沟道长度的竖直面上的截面积等于所述中心栅极在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。

7.一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法用于制造如权利要求1-6中任意一项所述的场效应晶体管，所述制造方法包括：

对栅沟道进行掩膜光阻沉积；

干法刻蚀出沟槽；

对所述沟槽在垂直于沟道长度的水平方向上的两端进行湿法刻蚀，以扩大所述两端在平行于沟道长度的竖直面上的截面积。

8.如权利要求7所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述对所述沟槽在垂直于沟道长度的水平方向上的两端进行湿法刻蚀的步骤具体包括：

对所述沟槽在垂直于沟道长度的水平方向上STI区域内的两端使用氢氟酸浸泡进行刻蚀。

9.如权利要求7所述的场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

栅氧层氧化；

多晶硅栅沉积；

或，

所述制造方法还包括：

高K层沉积；

金属栅沉积。