[发明专利]存储芯片和3D存储芯片在审
| 申请号： | 202110127413.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823615A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王嵩;李晓骏;任奇伟 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/498;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本申请实施例通过提供一种存储芯片和3D存储芯片，解决了现有存储芯片寄生电阻电容大、使用硅通孔技术而带来的制造成本高、RC延迟大，功耗大，散热差的问题。上述存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。上述混合键合方式为通过金属导体使上述存储部分的连接焊盘和上述控制部分的连接焊盘相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 | ||
【主权项】：
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