[发明专利]存储芯片和3D存储芯片在审
| 申请号： | 202110127413.6 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN114823615A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 王嵩;李晓骏;任奇伟 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L23/498;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 吴莹 |
| 地址： | 710075 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 芯片 | ||
1.一种存储芯片，其特征在于，包括：
相互堆叠的存储部分和控制部分，所述存储部分与所述控制部分通过混合键合方式相连接，其中，所述混合键合方式为通过金属导体使所述存储部分的连接焊盘和所述控制部分的连接焊盘相连接。
2.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，
所述控制部分包括控制部分芯片，所述存储部分包括存储部分芯片，所述控制部分芯片和/或所述存储部分芯片包括设置在芯片金属层内的金属层穿孔组件，所述连接焊盘设置于所述金属层穿孔组件中远离衬底层的第一导体件。
3.根据权利要求2所述的存储芯片，其特征在于，
所述第一导体件为所述连接焊盘。
4.根据权利要求2所述的存储芯片，其特征在于，所述金属层穿孔组件还包括靠近所述衬底层的第二导体件；
所述衬底层包括衬底通孔，所述衬底通孔连通于所述第二导体件，所述连接焊盘设置于所述第二导体件。
5.根据权利要求4所述的存储芯片，其特征在于，所述第一导体件与所述第二导体件之间设置有导体连接孔，所述第二导体件通过所述导体连接孔连接于所述第一导体件，以使信号能够通过所述衬底层传输至所述第一导体件。
6.根据权利要求4所述的存储芯片，其特征在于，
所述第二导体件为所述连接焊盘。
7.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，
所述存储部分设置有存储阵列，所述存储芯片的功能电路设置在所述控制部分。
8.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，
所述存储部分包括两个或三个以上的所述存储部分芯片；和/或，
所述控制部分包括两个或三个以上的所述控制部分芯片。
9.根据权利要求1所述的存储芯片，其特征在于，所述连接焊盘还用于所述存储芯片封装引线的键合。
10.一种3D存储芯片，其特征在于，包括：
如权利要求1-9任一项所述的存储芯片。
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