[发明专利]一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块在审
| 申请号： | 202110122169.4 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112928090A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 林仲康;石浩;唐新灵;王珅玮;陈博文 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网上海市电力公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/498;H01L21/66;H01L23/10;H01L25/07;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李博洋 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种功率半导体芯片封装结构、封装方法及封装模块，功率半导体芯片封装结构包括：基板电极；位于部分基板电极上的功率半导体芯片，功率半导体芯片背离基板电极的一面具有栅极；位于部分基板电极上且位于功率半导体芯片侧部的衬板，衬板背离基板电极的一侧表面具有第一导电层；连接栅极和第一导电层的键合引线；位于第一导电层上且与第一导电层固定连接的第一弹性测试电极，第一弹性测试电极适于在垂直于基板电极表面的方向上弹性形变。所述功率半导体芯片封装结构实现压接测试的同时结构稳定性提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 封装 结构 方法 模块 | ||
【主权项】：
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