[发明专利]存储器件及其编程方法在审
| 申请号： | 202110110466.7 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN113205847A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供一种存储器件及存储器件的编程方法。所述存储器件包括底部电极、加热器、相变层及顶部电极。加热器设置在底部电极上且包含多个导热材料，所述多个导热材料在电阻率方面互不相同。多个导热材料中的第一导热材料具有外围侧壁部及底板部，底板部连接到外围侧壁部且被外围侧壁部环绕。多个导热材料中的第二导热材料设置在第一导热材料的底板部上且在侧向上被第一导热材料的外围侧壁部环绕。相变层设置在加热器上且接触多个导热材料。顶部电极设置在相变层上。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
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