[发明专利]存储器件及其编程方法在审
| 申请号： | 202110110466.7 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN113205847A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 及其 编程 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器件，包括：
底部电极；
加热器，设置在所述底部电极上且包含多个导热材料，其中所述多个导热材料的电阻率互不相同，所述多个导热材料中的第一导热材料具有外围侧壁部及底板部，所述底板部连接到所述外围侧壁部且被所述外围侧壁部环绕，所述导热材料中的第二导热材料设置在所述多个导热材料中的所述第一导热材料的所述底板部上且在侧向上被所述多个导热材料中的所述第一导热材料的所述外围侧壁部环绕；
相变层，设置在所述加热器上且接触所述多个导热材料；以及
顶部电极，设置在所述相变层上。
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