[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202110103815.2 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113659007A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王志庆;李威养;温明璋;洪若慈;谢文兴;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示案的实施例提供一种半导体装置结构具有至少一个T形堆叠式纳米片晶体管以增加跨通道区的有效导电面积。在一个实施例中，半导体装置结构包括第一通道层以及第二通道层，其中第一通道层由第一材料形成并具有第一宽度，第二通道层由异于第一材料的第二材料形成并具有小于第一宽度的第二宽度，且第二通道层接触第一通道层。半导体装置结构亦包括栅极介电层，其中栅极介电层保型地设置在第一通道层及第二通道层上。半导体装置结构亦包括栅极电极层，栅极电极层设置在栅极介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
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