[发明专利]半导体装置结构在审
| 申请号： | 202110103815.2 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113659007A | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王志庆;李威养;温明璋;洪若慈;谢文兴;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：
一第一通道层，由一第一材料形成，其中该第一通道层具有一第一宽度；
一第二通道层，由异于该第一材料的一第二材料形成，其中该第二通道层具有小于该第一宽度的一第二宽度，且该第二通道层接触该第一通道层；
一栅极介电层，保型地设置在该第一通道层及该第二通道层上；以及
一栅极电极层，设置在该栅极介电层上。
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