[发明专利]一种半导体制造用去离子水湿法氧化回流装置在审

专利信息
申请号: 202110103332.2 申请日: 2021-01-26
公开(公告)号: CN112768343A 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 胡学付 申请(专利权)人: 广州链通科技有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/67;C02F1/469
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510653 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种半导体制造用去离子水湿法氧化回流装置,包括底座,所述冷凝装置的下侧设置有与皮带连接的L型转臂,L型转臂的内部设置有金属杆,L型转臂的下部连接有球体,抽吸装置包括:隔板、磁块、导向板和进出口,抽吸装置的内部设置有圆板,分离筒的下端连接有电板。通过L型转臂上的金属杆对磁块上的磁感线进行切割,金属杆切割磁感线产生电流正负极分别通向电板,通过电板对分离筒内的冷凝后的去离子水和可溶性的有机物进行吸附;抽吸装置通过抽吸环管对电板周围的离子和可溶性的有机物进行间歇抽取,这一结构解决了去离子水的使用较多和浪费,以及存在可溶性的有机物,可以污染离子交换柱从而降低其功效的问题。
搜索关键词: 一种 半导体 制造 离子水 湿法 氧化 回流 装置
【主权项】:
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