[发明专利]一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110102443.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112750929A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;王金科;郭梓旋 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P‑GAN层改性的LED芯片及其制作方法，该LED芯片从下至上依次包括以下各层：外延片、ITO透明导电层和顶层；其中，所述外延片上表面为P‑GaN层；所述P‑GaN层需经过等离子体轰击改性处理。其通过对P‑GaN层进行改性，破坏了P‑GaN层表面的晶体结构，降低了ITO透明导电层与P‑GaN层表面的界面能，提高了ITO透明导电层的“空穴”注入效率，从而降低了LED芯片正向电压和提升了LED芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 改性 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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