[发明专利]一种P-GAN层改性的LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 202110102443.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112750929A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 陈明飞;刘永成;王金科;郭梓旋 | 申请（专利权）人： | 长沙壹纳光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 伍传松 |
| 地址： | 410000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gan 改性 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：从下至上依次包括以下各层：外延片、ITO透明导电层和顶层；
其中，所述外延片上表面为P-GaN层；
所述P-GaN层需经过等离子体轰击改性处理。
2.根据权利要求1所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述外延片由下至上依次包括以下各层构成：衬底、缓冲GaN层、N-GaN层和量子阱层；其中，所述外延片上表面部分区域为所述P-GaN层，剩余部分区域为所述N-GaN层。
3.根据权利要求2所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述顶层由以下各层构成：钝化层、P型电极和N型电极；其中，所述钝化层蚀刻有延伸至所述ITO透明导电层的P区电极槽，所述钝化层蚀刻有延伸至所述N-GaN层的N区电极槽。
4.根据权利要求3所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述P型电极与所述ITO透明导电层相连。
5.根据权利要求3所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述N型电极与所述N-GaN层相连。
6.根据权利要求4所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述P型电极为Cr、Ni、Al、Ti、Ag、Pt和Au中至少一种。
7.根据权利要求5所述的P-GAN层改性的LED芯片，其特征在于：所述N型电极为Cr、Ni、Al、Ti、Ag、Pt和Au中至少一种。
8.一种制作如权利要求2至7任一项所述的P-GAN层改性的LED芯片的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、取一外延片，所述外延片自下而上依次包括：衬底、缓冲GaN层、N-GaN层、量子阱层和P-GaN层；
S2、沉积ITO透明导电层：在真空环境下，先使用等离子体轰击所述外延片表面，对所述外延片表面的P-GaN层进行改性，再沉积ITO透明导电层；
S3、表面图形化；
S4、沉积钝化层；
S5、蒸镀P型电极和N型电极；
S6、退火；
S7、制片：减薄、切割和检验后，制得所述P-GAN层改性的LED芯片。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤S2中等离子体轰击过程中工艺参数如下：放电电压为150V～180V；放电电流为4A～6A；放电时间为25s～45s。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述步骤S6中退火的温度为400℃～600℃；所述步骤S6中退火的氛围为N2气氛；所述步骤S6中退火的时间为1min～3min。
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