[发明专利]一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法在审
| 申请号： | 202110102266.7 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112876602A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 顾大公;许东升;余绍山;齐国强;岳力挽;马潇;李珊珊;毛智彪;许从应 | 申请（专利权）人： | 宁波南大光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C08F220/20 | 分类号： | C08F220/20;C08F220/32;C08F220/18;G03F7/004 |
| 代理公司： | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人： | 贾振勇 |
| 地址： | 315800 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法，其中所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂包括以下重量百分比的原料：23～65％极性单体、23～65％非极性单体、25～55％多羟基抗刻蚀单体。本发明实施例所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂在不损失原有193nm光刻胶树脂性能的基础上，通过在光刻胶树脂中引入含有多羟基抗刻蚀基团，不仅促进光刻胶树脂在显影后的溶解性，而且显著减小了显影后的光刻胶的残留，改善了线条边缘粗糙度，减少光刻胶缺陷率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 193 nm 光刻 树脂 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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