[发明专利]一种低缺陷的193nm光刻胶、光刻胶树脂及其制备方法在审
| 申请号: | 202110102266.7 | 申请日: | 2021-01-26 | 
| 公开(公告)号: | CN112876602A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 | 
| 发明(设计)人: | 顾大公;许东升;余绍山;齐国强;岳力挽;马潇;李珊珊;毛智彪;许从应 | 申请(专利权)人: | 宁波南大光电材料有限公司 | 
| 主分类号: | C08F220/20 | 分类号: | C08F220/20;C08F220/32;C08F220/18;G03F7/004 | 
| 代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 | 
| 地址: | 315800 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 缺陷 193 nm 光刻 树脂 及其 制备 方法 | ||
1.一种低缺陷的193nm光刻胶树脂,其特征在于,包括以下重量百分比的原料:23~65%极性单体、23~65%非极性单体、25~55%多羟基抗刻蚀单体;所述多羟基抗刻蚀单体具有如下结构:
其中,R1为氢原子或甲基,m为大于或等于2的整数。
2.根据权利要求1所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂,其特征在于,所述抗刻蚀基团为金刚烷、降冰片或环状、笼状化合物中任意一种。
3.根据权利要求2所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂,其特征在于,所述多羟基抗刻蚀单体具有如下结构:
其中,R1为氢原子或甲基,R2为氧原子或碳原子,R3为氢原子或分子式为CnH2n+1的烷基(n为大于1的整数),m为等于或大于2的整数。
4.根据权利要求1所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂,其特征在于,所述光刻胶树脂的分子量为3000-40000,所述光刻胶树脂的分子量分布低于2.0。
5.一种根据权利要求1-4任一项所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将极性单体、非极性单体、多羟基抗刻蚀单体、过氧化二苯甲酰及反应溶剂充分溶解得到混合液体,其中,所述过氧化二苯甲酰与所述多羟基抗刻蚀单体的质量比为(0.3~0.7):1,所述反应溶剂与所述过氧化二苯甲酰的体积(mL)质量(g)比为(38~20):1;
通入氮气对所述混合液体进行除氧25-35min后,置于60-80℃温度下进行加热回流10-16h得到反应溶液;
所述反应溶液用冷水淬灭后滴加至沉淀剂中,滴加的速度为6-10滴/min;
滴加完毕后静置1-1.5h并进行抽滤,得到白色粉末状无规则共聚物即为所述光刻胶树脂。
6.根据权利要求5所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法,其特征在于,所述反应溶剂为甲醇、乙醇、二氧六环、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、四氢呋喃、甲基四氢呋喃、苯、甲苯、二甲苯、氯仿、二氯乙烷、三氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的低缺陷的193nm光刻胶树脂的制备方法,其特征在于,所述沉淀剂为纯水、甲醇、甲醇/水混合物、乙醇、乙醇/水混合物、异丙醇、异丙醇/水混合物、正庚烷、正己烷、环己烷、正戊烷、石油醚、乙醚、甲基叔丁基醚中的一种或多种。
8.一种低缺陷的193nm光刻胶,其特征在于,包括以下重量百分比的原料:1-10%的光刻胶树脂、0.1-5%的光致产酸剂、0.001-1%的添加剂和80-98%的有机溶剂,所述光刻胶树脂为权利要求1-4中任意一种光刻胶树脂。
9.根据权利要求8所述的低缺陷的193nm光刻胶,其特征在于,所述光敏剂为三芳基硫鎓盐或二芳基碘鎓盐;所述添加剂为正丁基胺、叔丁基胺、二甲基胺、二乙基胺、二正丙胺、二异丙基胺、二正丁基胺、二异丁基胺、二叔丁基胺、三甲基胺、三乙基胺、三正丙胺、三异丙基胺、三正丁基胺、三异丁基胺、三叔丁基胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、环戊胺、环己胺、吗啡啉、N-甲基环戊胺、甲基苯胺、乙基苯胺、正丁基苯胺、叔丁基苯胺、二甲基苯胺、二乙基苯胺、二丁基苯、二苯基苯胺中的一种或多种。
10.根据权利要求8所述的低缺陷的193nm光刻胶,其特征在于,所述有机溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、丙二醇单醋酸醚、丙二醇单乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二缩乙二醇甲醚、二缩乙二醇乙醚、醋酸丁酯、醋酸新戊酯、乳酸乙酯、甲基乙基酮、环己酮和甲基异丁基酮中的一种或多种。
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