[发明专利]一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法在审
| 申请号： | 202110101970.0 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112928169A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈创 | 申请（专利权）人： | 徐州市创泽优电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 李延峰 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，包括二极管粗制基板制作、P极半导体层的重金属扩散、N极半导体层的重金属扩散、清洗、酸洗和抛光等步骤；本发明具有制作出高性能的可变阻抗二极管等优点，因此本发明可广泛应用于电子技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 重金属 快速 扩散 二极管 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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