[发明专利]一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法在审
| 申请号： | 202110101970.0 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112928169A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈创 | 申请（专利权）人： | 徐州市创泽优电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 李延峰 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 重金属 快速 扩散 二极管 芯片 制备 方法 | ||
1.一种重金属快速扩散二极管芯片制备方法，其特征在于，步骤如下：
S1：在P极半导体层与N极半导体层之间设置本征半导体层，其中P极半导体层嵌压在本征半导体层中，该步骤结束后得到二极管粗制基板并转入步骤S2；
S2：在P极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数大于P极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1250℃，扩散时间12h～14h，该步骤结束后转入步骤S3；
S3：在N极半导体层远离本征半导体层的一面贴附重金属层，其中重金属层的金属元素的功函数小于N极半导体层的半导体元素的接触势，扩散温度为1200℃～1300℃，扩散时间18h～20h，该步骤结束后转入步骤S4；
S4：使用纯水冲洗P极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于400Ω.cm～450Ω.cm，使用纯水冲洗N极半导体层远离本征半导体层的一面，直至废液的电阻率处于500Ω.cm～550Ω.cm，并得到二极管粗制芯片，该步骤结束后转入步骤S5；
S5：将步骤S4得到的二极管粗制芯片完全浸没在清洗液体中2min～3min后使用纯水冲洗30min以上，清洗液体由95％的纯水与5％的醋酸混合而成，该步骤结束后转入步骤S6；
S6：将步骤S5得到的二极管芯片毛坯的外部进行抛光处理，二极管芯片毛坯磨掉的厚度在50μm～100μm，并最终得到二极管芯片。
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