[发明专利]一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110098377.5 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112951906A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 邱凯兵;施俊;刘昊;田亮 | 申请（专利权）人： | 南瑞联研半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 许婉静 |
| 地址： | 211100 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC绝缘栅双极型晶体管器件及其制造方法，晶体管器件包括设置于背面的金属集电极，从金属集电极开始依次布置有第一导电类型衬底、第一导电类型buffer层、第二导电类型集电极、第一导电类型漂移区，在第一导电类型衬底和第一导电类型buffer层中有若干个沟槽，沟槽穿透第一导电类型衬底层和第一导电类型buffer层，沟槽内的填充集电极穿透第一导电类型衬底和第一导电类型buffer后与第二导电类型集电极相连。本发明的SiC绝缘栅双极型晶体管结构通过背面深沟槽结构实现集电极金属与P型集电极连接，实现了用成熟N型衬底制备N沟道SiC IGBT器件的目标，有效降低了P型衬底带来的额外导通压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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