[发明专利]一种砷化镓晶片的位错测定方法在审
| 申请号： | 202110091181.3 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112964710A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 傅伟力;许冲;冉东海;李勇 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种砷化镓晶片的位错测定方法，包括以下步骤，S1、用研磨液将砷化镓晶片研磨至没有锯纹；S2、配制由过氧化氢、去离子水和氢氧化氨组成的腐蚀液，将研磨好的砷化镓晶片放入腐蚀液中腐蚀后取出冲洗干净，擦干；S3、将砷化镓晶片放入镍锅内烧KOH；S4、将砷化镓晶片从镍锅中取出后放入90‑100℃的去离子水中煮，待去除砷化镓晶片表面所有的KOH后，将砷化镓晶片冲洗干净，擦干；S5、在光学显微镜下观察晶体的晶胞方向以及位错密度。本发明解决现有的砷化镓晶片的位错测定方法工艺比较复杂，晶片腐蚀坑密度不够清晰准确，砷化镓腐蚀位错的效率及EPD数量的准确性较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 测定 方法 | ||
【主权项】：
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