[发明专利]一种砷化镓晶片的位错测定方法在审
| 申请号： | 202110091181.3 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112964710A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 傅伟力;许冲;冉东海;李勇 | 申请（专利权）人： | 威科赛乐微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/84 | 分类号： | G01N21/84;G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 张晨 |
| 地址： | 404040 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓 晶片 测定 方法 | ||
1.一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：包括以下步骤，
S1、用研磨液将砷化镓晶片研磨至没有锯纹；
S2、配制由过氧化氢、去离子水和氢氧化氨组成的腐蚀液，将研磨好的砷化镓晶片放入腐蚀液中腐蚀后取出冲洗干净，擦干；
S3、将砷化镓晶片放入镍锅内烧KOH；
S4、将砷化镓晶片从镍锅中取出后放入90-100℃的去离子水中煮，待去除砷化镓晶片表面所有的KOH后，将砷化镓晶片冲洗干净，擦干；
S5、在光学显微镜下观察晶体的晶胞方向以及位错密度。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述过氧化氢、去离子水和氢氧化氨的质量比为1：1：(1-2)。
3.根据权利要求2所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述过氧化氢质量浓度为30％-32％，氢氧化氨的质量浓度为28％-30％。
4.根据权利要求3所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述步骤S2中腐蚀的时间控制在3-5分钟。
5.根据权利要求4所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述步骤S3中将砷化镓晶片放入镍锅内烧KOH，具体为：先用镍丝篮子将腐蚀好的砷化镓晶片装好；然后镍锅底部铺一层KOH，将镍丝篮放入镍锅内，再往镍锅中加入KOH，直至KOH完全将砷化镓晶片覆盖；最后烧KOH，使温度升至385℃，保温10分钟，自然降温。
6.根据权利要求5所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述步骤S4中，在去离子水中煮时间为5-10分钟。
7.根据权利要求6所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述步骤S4中，KOH的质量纯度≥90％。
8.根据权利要求1-7任一权利要求所述的一种砷化镓晶片的位错测定方法，其特征在于：所述步骤A5中使用的光学显微镜的型号为olympus MX51。
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