[发明专利]一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法在审
| 申请号： | 202110074713.2 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112897455A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 虎将;翁锴强;冯攀;罗怡;马彰鑫;蔡锦浩;谢国兵;王芝;张森;张永宁;刘杰 | 申请（专利权）人： | 西安应用光学研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人： | 刘二格 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，包括以下步骤：制备母模具；制备PDMS软模具；制备掩膜层微结构；微结构刻蚀转移。本发明实现了硅基底/碳化硅基底上连续曲面微结构的一次成型制造，并且工艺性良好，适于大批量生产；通过调节抗蚀层和基底的刻蚀比例，可以实现连续曲面微结构按比例转移到基底上，转移后的微结构尺寸可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 icp 刻蚀 连续 曲面 三维 微结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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