[发明专利]一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法

权利要求书

1.一种基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步:制备母模具

母模具是预制备连续曲面微结构的初始模具；

第二步:制备PDMS软模具

把母模具安装在PDMS软模具制造装置上制备PDMS软模具；

第三步：制备掩膜层微结构

在基底上涂覆抗蚀层掩膜层，使用PDMS软模具对掩膜层模压固化成型，揭开PDMS软模具，清除抗蚀剂完成抗蚀层微结构制造；

第四部：微结构刻蚀转移

将第三步形成的基片放入ICP刻蚀机，经刻蚀，将抗蚀层的连续曲面微结构按抗蚀层和基底的刻蚀比例转移到基底上，完成基底上连续曲面微结构的制备。

2.如权利要求1所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第一步中，选用硅或镀镍铜合金制备连续曲面微结构母模具。

3.如权利要求2所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第一步中，利用单点金刚石车床车削得到连续曲面微结构母模具。

4.如权利要求3所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第二步中，将混合、消泡后的PDMS液灌入软模具制造装置，经加压固化，完成PDMS软模具制造。

5.如权利要求4所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第三步中，把清洗过的基底安装在模压机上，将经过混合、消泡的抗蚀剂灌入模压机，均匀涂覆在基底上；再将PDMS软模具从基底片一侧开始接触模压，直至完全覆盖并均匀加压；固化后从一侧将PDMS软模具揭开，清除滴流的抗蚀剂完成抗蚀层微结构制造。

6.如权利要求5所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第三步中，基底为硅或碳化硅基底。

7.如权利要求6所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第四步中，根据基底材料、抗蚀层材料和微结构尺寸输入刻蚀参数，利用ICP刻蚀机，将抗蚀层的连续曲面微结构按抗蚀层和基底的刻蚀比例转移到基底上。

8.如权利要求7所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第四步中，在连续曲面微结构制备完成后，对面形进行检测。

9.如权利要求8所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法，其特征在于，所述第四步中，对完成刻蚀的硅或碳化硅基片进行面型检测，如有残余抗蚀层则继续进行刻蚀直至完成结构转移。

10.如权利要求1-9中任一项所述的基于ICP刻蚀的连续曲面三维微结构制备方法在微光机电制造技术领域中的应用。