[发明专利]器件及器件的形成方法在审
| 申请号： | 202110072581.X | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113496964A | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 上田真慈 | 申请（专利权）人： | 日本航空电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/48;A61B5/024 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 朱丽华 |
| 地址： | 日本国东京都涩*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种器件及器件的形成方法，该器件包括：第一膜，其具有第一内部，第一密封部分和第一接触部分；以及第二膜，其具有第二内部，第二密封部分和第二接触部分；具有第一接触点的第一电路构件；具有第二接触点的第二电路构件。第一密封部分和第二密封部分结合在一起。第一接触部分和第二接触部分在接触区域中彼此接触，该接触区域在第一内部和第二内部的整个边缘上围绕第一内部和第二内部。第一电路构件和第二电路构件封闭在被第一内部和第二内部包围的封闭空间。第一接触点和第二接触点彼此接触。本发明提供一种可以制作更薄的新型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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