[发明专利]扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法在审
| 申请号： | 202110060777.7 | 申请日： | 2021-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN112736012A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 罗小虎;陈为波;张继栋;曹诚 | 申请（专利权）人： | 东莞市瑞勤电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 张靖琳 |
| 地址： | 523129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法，该扩晶装置包括：第一固定圈，与第一薄膜固定连接，第一薄膜至少覆盖第一固定圈的内环所围绕的区域，且第一薄膜的承载区用于承载晶圆；以及第二固定圈，位于第一固定圈上，与第二薄膜固定连接，第二薄膜具有镂空区和延伸部，镂空区与第一薄膜的承载区相对，其中，第一薄膜被延展，以使承载区沿第一固定圈到第二固定圈的方向移动且第一薄膜与第二薄膜的延伸部接触固定。该扩晶装置通过采用第二薄膜固定延展后的第一薄膜，代替了使用扩晶环固定薄膜的方式，从而增加了固定第一薄膜的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 设备 加工 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
