[发明专利]扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法

说明书

本申请公开了一种扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法，该扩晶装置包括：第一固定圈，与第一薄膜固定连接，第一薄膜至少覆盖第一固定圈的内环所围绕的区域，且第一薄膜的承载区用于承载晶圆；以及第二固定圈，位于第一固定圈上，与第二薄膜固定连接，第二薄膜具有镂空区和延伸部，镂空区与第一薄膜的承载区相对，其中，第一薄膜被延展，以使承载区沿第一固定圈到第二固定圈的方向移动且第一薄膜与第二薄膜的延伸部接触固定。该扩晶装置通过采用第二薄膜固定延展后的第一薄膜，代替了使用扩晶环固定薄膜的方式，从而增加了固定第一薄膜的稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，更具体地，涉及一种扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，在晶圆划片步骤之后会对晶圆上分离的芯片进行检测和分选等操作，为了便于检测和分选操作，需要对晶圆进行扩晶操作。具体的，通过延展用于承载晶圆的薄膜，从而扩大每个芯片之间的间距，延展薄膜之后，采用内外两个塑料扩晶环夹持固定延展后的薄膜，并裁剪多余的薄膜。

然而，在采用内外两个扩晶环夹持固定薄膜的情况下，一旦扩晶环发生形变，极易造成薄膜从两个扩晶环之间局部或全部脱落，从而出现因薄膜回缩导致每个芯片之间的间距不均等问题，不利于后续对芯片的操作。

因此，希望提供一种改进的扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法，从而可以在延展薄膜之后更加牢固地将该薄膜固定，使得每个芯片之间的间距得以保持。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种扩晶装置、扩晶设备与晶圆的加工方法，通过采用第二薄膜固定延展后的第一薄膜，代替了使用扩晶环固定薄膜的方式，从而增加了固定第一薄膜的稳定性。

根据本发明实施例的第一方面，提供了一种扩晶装置，包括：第一固定圈，与第一薄膜固定连接，所述第一薄膜至少覆盖所述第一固定圈的内环所围绕的区域，且所述第一薄膜的承载区用于承载晶圆；以及第二固定圈，位于所述第一固定圈上，与第二薄膜固定连接，所述第二薄膜具有镂空区和延伸部，所述镂空区与所述第一薄膜的承载区相对，其中，所述第一薄膜被延展，以使所述承载区沿所述第一固定圈到所述第二固定圈的方向移动且所述第一薄膜与所述第二薄膜的延伸部接触固定。

可选地，还包括垫块，位于所述第一固定圈与所述第二固定圈之间，以使所述第一固定圈和所述第二固定圈分隔，其中，所述承载区的移动距离与所述垫块的厚度对应。

可选地，所述第二薄膜与所述第一薄膜的接触部分呈环状围绕所述第一薄膜的承载区。

可选地，所述垫块包括分体式垫块。

可选地，所述第一固定圈与所述第二固定圈的内环尺寸相同。

可选地，所述第一固定圈与所述第二固定圈均为金属圈。

根据本发明实施例的第二方面，提供了一种扩晶设备，包括：如上所述的扩晶装置；以及顶膜结构，用于延所述第一固定圈到所述第二固定圈的方向往复移动，以延展所述第一薄膜，其中，所述第一固定圈的内环所围绕的区域不小于所述顶膜结构的尺寸，以便于所述顶膜结构通过所述第一固定圈的内环。

可选地，所述顶膜结构具有与所述第一薄膜直接接触的接触面。

可选地，还包括压膜结构，用于在所述第一薄膜被延展后向所述第二薄膜的延伸部和所述第一薄膜的接触区提供作用力，以使所述第二薄膜的延伸部和所述第一薄膜固定连接。

可选地，还包括：第一固件，用于支撑所述第一固定圈；以及第二固件，用于和所述第一固件一同将所述第一固定圈、所述第二固定圈固定。