[发明专利]半导体集成电路装置的接触插塞形成方法在审
| 申请号： | 202110052418.7 | 申请日： | 2021-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN114664729A | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 尹元俊;鲜于埙;崔锡奎;韩泰晟;金东佑;朴振右 | 申请（专利权）人： | 圆益IPS股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 郑青松 |
| 地址： | 韩国京畿道平*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路装置的接触插塞形成方法的相关技术，在基板处理装置内形成接触插塞的方法，基板处理装置具有工艺腔室，工艺腔室在内部具有处理空间，并且包括基板支撑架和气体喷射部，基板支撑架位于处理空间的下部区域并放置半导体基板，气体喷射部位于处理空间的上部区域并且用于向半导体基板喷射气体，包括如下的步骤：对装载于处理空间内部的半导体基板的上部提供具有接触孔的层间绝缘膜；在接触孔内壁部及层间绝缘膜上部表面形成成核层；在接触孔下部区域的成核层上形成半本体层；在半本体层及暴露的成核层表面上形成抑制剂层；及在半本体层上部形成主本体层，以填充接触孔内部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
