[发明专利]半导体集成电路装置的接触插塞形成方法

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，作为在基板处理装置内形成接触插塞的方法，所述基板处理装置具有工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有处理空间，并且包括基板支撑架和气体喷射部，所述基板支撑架位于所述处理空间的下部区域并放置半导体基板，所述气体喷射部位于所述处理空间的上部区域并且用于向所述半导体基板喷射气体，包括如下的步骤：

对装载于所述处理空间内部的所述半导体基板的上部提供具有接触孔的层间绝缘膜；

在所述接触孔内壁部及所述层间绝缘膜上部表面形成成核层；

在所述接触孔下部区域的所述成核层上形成半本体层；

在所述半本体层及暴露的所述成核层表面上形成抑制剂层；及

在所述半本体层上部形成主本体层，以填充所述接触孔内部。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述成核层形成步骤为，

供应含氢源及含钨源，通过ALD方式形成。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述半本体层形成步骤为，

基于所述成核层，生长至所述接触孔的入口宽度的10至30％的厚度左右。

4.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述抑制剂层形成步骤包括如下的步骤：

通过PECVD方式将沿着所述接触孔内壁及层间绝缘膜形成的所述半本体层进行氮处理，进而反应氮自由基和暴露的所述半本体层。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述基板支撑架还包括边缘气体流道，所述边缘气体流道用于防止向所述基板支撑架和所述半导体基板之间入侵用于生成所述抑制剂层的成分；

所述边缘气体为在所述成核层形成步骤、所述半本体层形成步骤、所述抑制剂层形成步骤及主本体层形成步骤中的至少一个步骤供应。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述边缘气体包含Ar气体。

7.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述抑制剂层包含氮化钨。

8.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述主本体层形成步骤和所述抑制剂层形成步骤为在所述工艺腔室内原位进行。

9.根据权利要求1或8所述的半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，

所述主本体层形成步骤为，反应含氢源及含钨源而成。

10.一种半导体集成电路装置的接触插塞形成方法，其特征在于，包括如下的步骤：

对半导体基板上部提供具有接触孔的层间绝缘膜；

在所述接触孔内壁部及所述层间绝缘膜上部表面形成钨成核层；

在所述钨成核层上形成半钨层；

将所述半钨层及暴露的所述钨成核层进行氮自由基处理来形成抑制剂层；

在所述半钨层、所述钨成核层及所述抑制剂层表面生长主钨层，以填充所述接触孔内部；及

将所述主钨层、所述抑制剂层、所述钨成核层平整化，以暴露所述层间绝缘膜表面；

其中，所述半钨层形成为不阻塞所述接触孔入口的程度的厚度；

所述抑制剂层为相比于所述接触孔的内侧壁部在上部发生更多的反应而成。