[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110047125.X | 申请日： | 2021-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN114171593A | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 藤农佑树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一电极；第一半导体区域，设于第一电极之上，与第一电极电连接；第二半导体区域，设于第一半导体区域的一部分之上；第三半导体区域包含第一区域和设于第一区域与第二半导体区域之间、具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度的第二区域；第三半导体区域，设于第一半导体区域的另一部分之上；第四半导体区域，设于第二半导体区域之上，具有比第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度；第五半导体区域，设于第四半导体区域的一部分之上；栅极电极，隔着栅极绝缘层与第四半导体区域对置；第二电极，设于第四及第五半导体区域之上，与第四及第五半导体区域电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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