[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

实施方式提供能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一电极；第一半导体区域，设于第一电极之上，与第一电极电连接；第二半导体区域，设于第一半导体区域的一部分之上；第三半导体区域包含第一区域和设于第一区域与第二半导体区域之间、具有比第一区域高的第一导电型的杂质浓度的第二区域；第三半导体区域，设于第一半导体区域的另一部分之上；第四半导体区域，设于第二半导体区域之上，具有比第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度；第五半导体区域，设于第四半导体区域的一部分之上；栅极电极，隔着栅极绝缘层与第四半导体区域对置；第二电极，设于第四及第五半导体区域之上，与第四及第五半导体区域电连接。

相关申请

本申请享受以日本专利申请2020-153233号(申请日：2020年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参考该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor，MOSFET)等半导体装置被用于电力转换等用途。期望半导体装置的可靠性高。

发明内容

本发明提供一种能够提高可靠性的半导体装置及其制造方法。

实施方式的半导体装置具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域、第一导电型的第五半导体区域、栅极电极以及第二电极。所述第一半导体区域设置于所述第一电极之上，与所述第一电极电连接。所述第二半导体区域设置于所述第一半导体区域的一部分之上。所述第三半导体区域包含第一区域以及第二区域。所述第一区域在与从所述第一电极朝向所述第一半导体区域的第一方向垂直的第二方向上与所述第二半导体区域分离。所述第二区域设置于所述第一区域与所述第二半导体区域之间，具有比所述第一区域高的第一导电型的杂质浓度。所述第三半导体区域设置于所述第一半导体区域的另一部分之上。所述第四半导体区域设置于所述第二半导体区域之上，具有比所述第二半导体区域高的第二导电型的杂质浓度。所述第五半导体区域设置于所述第四半导体区域的一部分之上。所述栅极电极隔着栅极绝缘层与所述第四半导体区域对置。所述第二电极设置于所述第四半导体区域以及所述第五半导体区域之上，与所述第四半导体区域以及所述第五半导体区域电连接。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的剖视图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的剖视图。

图4的(a)～图6的(b)是表示第一实施方式的半导体装置的制造工序的剖视图。

图7的(a)、(b)是表示第一实施方式的半导体装置的一部分的剖视图、及表示A1-A2线处的杂质浓度的曲线图。

图8是表示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的剖视图。

图9是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的剖视图。

图10是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的剖视图。

图11是表示第二实施方式的半导体装置的剖视图。

图12是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图。

图13是表示第二实施方式的半导体装置的剖视图。

图14是将图13的一部分放大后的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。